TAIYO(JMK325BJ107MY-T)
芯片产品
产品详情
TAIYO(JMK325BJ107MY-T) 100
芯片产品
产品概述
MSASJ32YBB5107MTNA01是太阳诱电(TAIYO YUDEN)推出的1210封装尺寸多层陶瓷电容器，额定电压6.3V，标称容量100μF。该器件采用X5R温度特性材料，工作温度范围-55℃至+85℃，容量变化率控制在±15%以内。产品面向通讯设备、数字电路和电源管理系统等高密度电子设备应用，在有限空间内提供大容量储能和滤波解决方案。镍电极结构和优化的内部设计确保了良好的焊接性能和长期可靠性。
技术特性
MSASJ32YBB5107MTNA01采用多层块状陶瓷结构，内部电极使用金属镍材料，外部端电极同样采用镀镍处理。这种结构设计提供了优异的机械强度和热稳定性，能够承受回流焊工艺的热冲击。器件尺寸为3.2mm×2.5mm×1.9mm（长×宽×高），电极间距0.60mm±0.30mm，符合1210/3225标准封装规格。
材料系统基于X5R介电特性，在-55℃至+85℃温度范围内保持稳定的电气性能。根据JIS标准分类为B特性，在-25℃至+85℃温度范围内容量变化率±10%。器件损耗角正切值最大10%，绝缘电阻最小值100MΩ·μF，满足高可靠性应用要求。无卤素设计和RoHS、REACH合规性确保产品符合环保标准。
电气参数
基本电气规格：
- 标称静电容量：100μF ±20%
- 额定电压：6.3V DC
- 温度特性：X5R（EIA），B（JIS）
- 损耗角正切：≤10%（测试条件1kHz，20℃）
- 绝缘电阻：≥100MΩ·μF（测试条件25℃，额定电压）
- 高温负载能力：150%额定电压
频率特性： 根据阻抗特性图显示，在1MHz频率下ESR值约0.01Ω，自谐振频率约1MHz。随着频率增加，等效串联电感(ESL)对阻抗特性的影响逐渐显著，在10MHz频率下ESL值约1nH。
直流偏置特性： 在额定电压6.3V范围内，直流偏置引起的容量变化率约-80%。0V偏置时容量为标称值，随着偏置电压增加，容量呈非线性下降，在2V偏置时容量下降约40%，4V偏置时下降约65%。
温度特性： 在-55℃至+85℃工作温度范围内，容量变化率符合X5R特性要求。25℃时容量为标称值，在温度极端条件下，-55℃时容量下降约12%，+85℃时容量下降约8%。
应用场景
MSASJ32YBB5107MTNA01适用于多种电子系统的电源管理电路。在通讯设备中，包括智能手机、无线模块等产品的电源去耦和噪声滤波应用。器件的大容量特性使其特别适合作为处理器、射频模块和基带芯片的旁路电容器。
在数字电路系统中，该电容器用于高频数字IC的电源稳定，抑制开关噪声和电压波动。液晶显示模块的驱动电压线路中，器件提供稳定的电压缓冲，改善显示质量。高电源电压的LSI、IC和运算放大器电路中，作为电源旁路元件使用。
电源管理应用包括DC-DC转换器的输入和输出平滑，开关电源的二次侧滤波。在这些应用中，电容器有效降低纹波电压，提高电源质量，确保系统稳定工作。
设计指南
选型考虑： 设计时应根据实际工作电压选择额定电压，建议工作电压不超过额定值的70%。考虑到直流偏置效应，实际可用容量需根据工作电压进行降额计算。温度变化对容量的影响应在系统容差范围内进行评估。
布局建议： PCB布局时尽量缩短电容器与负载器件之间的引线长度，减少寄生电感的影响。电源引脚附近应优先放置该电容器，提供低阻抗的噪声旁路路径。对于大电流应用，建议使用多个电容器并联，降低整体ESR。
焊接工艺： 器件适合回流焊工艺，峰值温度不应超过器件规格书规定的限制。使用Sn-Zn系焊接材料可能影响可靠性，如必须使用应提前咨询制造商。焊接后应避免机械应力作用于器件本体。
可靠性设计： 高温负载测试表明器件可承受150%额定电压，但在实际应用中应保留足够的设计余量。长期可靠性考虑应包括电压降额、温度降额和振动环境适应性。
技术优势
相比传统电解电容器，MSASJ32YBB5107MTNA01在相同容积下提供更高的容量密度，节省PCB空间。多层陶瓷结构提供更低的等效串联电阻(ESR)，典型值在0.01Ω量级，有利于高频噪声抑制和功率效率提升。
镍电极结构改善焊接可靠性和耐热性，适应无铅焊接工艺要求。器件寿命不受电解质干涸限制，在高温环境下保持稳定的电气特性。无极性设计简化安装工艺，减少装配错误。
与同类1210封装MLCC相比，该产品在6.3V额定电压下实现100μF容量，达到当前技术水平下的较高容量密度。优化的内部电极设计降低等效串联电感，扩展有效滤波频率范围。
实际应用案例
在智能手机电源管理单元中，MSASJ32YBB5107MTNA01用于应用处理器核电源的退耦网络。实际测试显示，在处理器动态负载变化时，该电容器有效抑制电源电压波动，将纹波电压控制在30mV以内，确保处理器稳定工作在最高频率。
5G通信模块的射频功率放大器电源路径中，多个该型号电容器并联使用，提供低阻抗电源路径。测量结果表明，在2GHz工作频率下，电源噪声抑制比提升15dB，改善发射信号质量，降低邻道泄漏比。
工业自动化设备的DC-DC转换器输出端，使用该电容器作为输出滤波元件。在4A负载电流条件下，输出纹波电压从150mV降低至50mV，提高后续模拟电路的精度和稳定性。高温环境测试显示，在+85℃条件下器件性能无明显退化。