TAIYO(EMK316BBJ476ML-T)
芯片产品
产品详情
TAIYO(EMK316BBJ476ML-T) 47
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产品概述
MSASE31LBB5476MTNA01是太阳诱电(TAIYO YUDEN)推出的一款1206封装尺寸的多层陶瓷电容器，属于高介电常数系列产品。该电容器在标准封装尺寸下提供47μF的大容量，额定电压16V，采用X5R温度特性材料，工作温度范围覆盖-55℃至+85℃。产品主要面向通讯设备、数字电路和电源管理应用，特别适用于需要高容量、小尺寸的现代电子设备设计。
该电容器采用多层块状结构设计，内外电极使用金属镍材料，端部镀镍处理，具备优良的可焊性和耐热性能。相比传统电解电容，MLCC结构提供更低的等效串联电阻和更高的可靠性，在高温负载条件下可承受150%额定电压的应力测试。
技术特性
MSASE31LBB5476MTNA01采用先进的陶瓷材料和多层结构技术，在3.2mm×1.6mm×1.6mm的紧凑尺寸内实现47μF容量。X5R温度特性确保在-55℃至+85℃工作温度范围内，容量变化率控制在±15%以内，满足工业级应用的温度稳定性要求。
电容器内部采用镍电极系统，端电极同样采用镀镍处理，这种结构设计提供优异的焊接性能和机械强度。根据规格表数据，产品绝缘电阻最小值达到100MΩ·μF，损耗角正切最大值10%，这些参数保证了电容器在高频应用中的稳定性能。
多层陶瓷结构带来较低的等效串联电阻，根据特性图表显示，在1MHz频率下ESR值低于10mΩ，这种低阻抗特性使其在噪声抑制和电源去耦应用中表现突出。产品符合RoHS 10物质、REACH 251物质环保要求，且为无卤素设计，满足现代电子产品环保标准。
电气参数
基本电气规格：
- 标称容量：47μF ±20%
- 额定电压：16V DC
- 温度特性：X5R（-55℃至+85℃）
- 容量变化率：±15%
- 损耗角正切：≤10%（在1kHz，1Vrms条件下）
- 绝缘电阻：≥100MΩ·μF（在25℃，额定电压下）
- 高温负载特性：150%额定电压
尺寸规格：
- 长度(L)：3.2mm ±0.30mm
- 宽度(W)：1.6mm ±0.30mm
- 厚度(T)：1.6mm ±0.30mm
- 端子间距(e)：0.50mm +0.35/-0.25mm
频率特性： 根据阻抗频率特性图表，该电容器在100kHz频率下阻抗约为3.5mΩ，自谐振频率约1.8MHz。在自谐振频率以下，器件主要呈现容性特性；超过自谐振频率后，呈现感性特性。等效串联电感值约0.7nH，这一参数对高频去耦应用至关重要。
直流偏置特性： 直流偏置电压对容量影响明显，在16V额定电压下，容量下降约80%。设计时需要根据实际工作电压考虑容量衰减，在8V工作电压时容量保持率约50%，在4V以下电压时容量变化较小。
应用场景
通讯设备应用 在智能手机和无线设备中，MSASE31LBB5476MTNA01主要用于电源管理单元的输入输出滤波。典型应用包括基带处理器电源去耦、射频功率放大器电源稳定、以及各类接口电路的噪声抑制。1206封装尺寸适合高密度PCB布局，47μF容量能够有效滤除低频噪声成分。
电源电路应用 作为DC-DC转换器的输入输出电容，该电容器提供有效的纹波电流吸收能力。在开关频率100kHz至1MHz的buck/boost转换器中，可同时实现输入纹波抑制和输出平滑功能。根据纹波电流特性图表，在100kHz频率下可承受约2.5Arms的纹波电流，温升控制在10℃以内。
数字电路应用 在FPGA、ASIC和微处理器等数字IC的电源去耦网络中，多个MSASE31LBB5476MTNA01电容器可组成分级去耦系统。大容量特性适合用作bulk电容，为芯片提供瞬时大电流支持，同时抑制低频开关噪声。
显示设备应用 液晶模块驱动电路中，该电容器用于LCD偏压电路的电压稳定和噪声滤波。在液晶驱动电压线路上，47μF容量可有效平滑驱动波形，改善显示质量，防止因电源波动导致的显示异常。
设计指南
容量选择考虑 在实际电路设计中，需要考虑直流偏置对有效容量的影响。根据直流偏置特性曲线，在12V工作电压时有效容量约15μF，在5V工作电压时有效容量约30μF。设计时应按照实际工作电压下的有效容量进行计算，而非标称容量。
PCB布局建议 推荐焊盘图案尺寸为1.8mm×1.4mm，端子间距0.5mm。为发挥最佳高频性能，电容器应尽量靠近IC电源引脚放置，引线长度控制在5mm以内。电源平面到电容器的过孔应至少使用两个，以减小寄生电感。
温度补偿设计 X5R材料具有明显的温度依赖性，在-20℃至+70℃范围内容量变化相对平缓，但在温度极限处容量下降明显。对温度敏感的应用应考虑并联不同温度特性的电容器，或选择工作电压余量更大的规格。
可靠性设计 产品可承受150%额定电压的高温负载测试，但在实际应用中建议工作电压不超过80%额定值，以延长使用寿命。回流焊工艺推荐使用标准无铅焊料曲线，峰值温度不超过260℃。
技术优势
MSASE31LBB5476MTNA01在1206标准封装内实现47μF容量，这一容量密度在同类产品中具有竞争优势。相比传统电解电容，MLCC结构提供更低的ESR和更长的使用寿命，无电解液干涸问题。
镍电极系统提供更好的焊接可靠性和耐热冲击性能，适合多次回流焊工艺。根据绝缘电阻规格，100MΩ·μF的数值保证在高温高湿环境下的稳定性，适合严苛的工作环境。
产品提供完整的仿真模型支持，包括SPICE模型、S参数和温度/直流偏置模型，这些资源帮助工程师在设计阶段准确预测电路性能。3D STEP模型和DXF焊盘图案文件可直接用于PCB设计和机械仿真。
实际应用案例
在智能手机电源管理单元中，MSASE31LBB5476MTNA01通常用于应用处理器核心电源的输入滤波。实际测试数据显示，在2A负载电流条件下，该电容器可将电源纹波从120mV降低至35mV，显著改善处理器工作稳定性。
在工业级DC-DC转换模块中，四个MSASE31LBB5476MTNA01电容器并联使用，构成48V转12V降压转换器的输出滤波网络。测试结果表明，在5A输出电流时，输出纹波电压低于50mV，满足工业设备电源质量标准。
汽车信息娱乐系统中，该电容器用于主控SoC的电源去耦网络。在-40℃至+85℃温度范围内，电源完整性测试显示电压波动始终控制在±3%范围内，确保系统在各种环境温度下的可靠运行。