MSASL21GBB5476MTNA01(LMK212BBJ476MG-T)
**MSASL21GBB5476MTNA01** - 47μF 2.5V X5R 0805尺寸多层陶瓷电容器 **MSASL21GBB5476MTNA01** - 47μF 2.5V X5R 0805尺寸多层陶瓷电容器
产品详情
MSASL21GBB5476MTNA01(LMK212BBJ476MG-T) 47μF
MSASL21GBB5476MTNA01 - 47μF 2.5V X5R 0805尺寸多层陶瓷电容器
MSASL21GBB5476MTNA01 - 47μF 2.5V X5R 0805尺寸多层陶瓷电容器
产品概述
LMK212BBJ476MG-T现已更新型号为MSASL21GBB5476MTNA01，是一款采用0805封装尺寸的高容量多层陶瓷电容器。该器件在2.0mm×1.25mm×1.25mm的标准封装内实现47μF标称容量，额定电压2.5V，介质材料采用X5R特性。主要面向智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品的电源管理电路，特别适用于处理器核心电压的退耦和滤波应用。产品符合RoHS指令要求，提供卷带包装以适应自动化贴装生产需求。
技术特性
MSASL21GBB5476MTNA01采用多层陶瓷电容结构，内部由多个金属电极和陶瓷介质层交替堆叠构成。X5R温度特性确保在-55℃至+85℃工作温度范围内，电容量变化率不超过初始值的±15%。介质层使用钛酸钡基陶瓷材料，通过精细的颗粒控制和烧结工艺实现高介电常数。电极采用镍屏障层和锡镀层结构，提供优异的可焊性和长期可靠性。
该电容器在1kHz测试频率、20℃环境温度下的典型等效串联电阻为3mΩ，绝缘电阻值不低于500MΩ。自谐振频率约1.5MHz，在频率超过自谐振点后呈现感性特性。产品采用柔性端电极设计，能够有效缓解板级装配过程中的机械应力，降低因热膨胀系数不匹配导致的开裂风险。
电气参数
基本电气特性
- 标称电容量：47μF
- 容量公差：±20%
- 额定电压：2.5VDC
- 类别电压：1.5VDC
- 温度特性：X5R（-55℃至+85℃ ΔC/C0≤±15%）
- 介电强度：2.5倍额定电压或最大50V，取较小值
频率特性
- 等效串联电阻：3mΩ典型值（1kHz，20℃）
- 等效串联电感：0.8nH典型值
- 自谐振频率：1.5MHz典型值
- 阻抗-频率特性：在100kHz频率下阻抗约10mΩ
可靠性参数
- 绝缘电阻：≥500MΩ或1000MΩ·μF，取较小值（25℃）
- 耐电压：6.3VDC（60秒）
- 温度循环测试：-55℃至+125℃，1000次循环，ΔC/C0≤±10%
- 寿命测试：85℃，额定电压1000小时，ΔC/C0≤±10%
应用场景
MSASL21GBB5476MTNA01适用于各类便携式电子设备的电源管理系统。在智能手机应用场景中，该电容器主要用于应用处理器和基带处理器的核心电源退耦，放置在芯片电源引脚附近，提供瞬时大电流供应能力。典型配置方案是在处理器每个电源引脚旁放置1-2个该型号电容器，与较小容值的电容器并联使用，构建分级退耦网络。
在平板电脑设计中，该电容器常用于DDR内存电源滤波电路，配合电源管理IC使用，抑制电源纹波和噪声。实际应用数据显示，在1.8V DDR电源轨上使用4-6个MSASL21GBB5476MTNA01电容器，能够将电源纹波从80mV降低至20mV以内，显著提升信号完整性。
可穿戴设备如智能手表和健康监测器中，由于空间限制严格，该电容器的0805封装尺寸和高容量密度特性使其成为电源滤波的首选方案。在有限的PCB面积内实现足够的去耦电容值，确保射频模块和传感器电路的稳定工作。
设计指南
选型考虑
选择MSASL21GBB5476MTNA01时需重点评估工作电压裕量，建议实际工作电压不超过额定电压的80%。在电源退耦应用中，需计算目标频段的阻抗特性，确保在核心噪声频率范围内提供足够低的阻抗。温度稳定性要求严格的应用中，应考虑X5R材料在温度变化时的容量衰减，适当增加设计余量。
布局建议
PCB布局时应将电容器尽可能靠近IC的电源引脚，典型距离控制在2mm以内。电源路径优先采用短而宽的走线，减少寄生电感。建议使用多个过孔连接电源平面和地平面，降低回路电感。在高速数字电路设计中，推荐采用电源引脚-电容器-地引脚的直线布局，避免折线走线。
热管理考虑
X5R材料在直流偏压作用下会产生微小的介电损耗，在高温环境下需注意热管理。避免将电容器放置在发热元件正下方，确保周围有足够空间促进空气流通。在高温应用中，建议进行热仿真分析，确认电容器本体温度不超过85℃上限。
技术优势
MSASL21GBB5476MTNA01在0805封装规格内实现47μF容量，容量密度达到18.8μF/mm³，相比传统MLCC产品提升约30%。X5R温度特性在便携设备常见的工作温度范围内提供稳定的容量表现，-55℃至+85℃温度区间的容量变化控制在±15%以内。
低等效串联电阻特性使该电容器在高频退耦应用中表现优异，在100kHz至1MHz频率范围内的阻抗低于15mΩ，能够有效抑制电源噪声。柔性端电极结构提升板级可靠性，经过1000次温度循环测试后容量变化不超过±5%，满足严格的可靠性要求。
与同等容量的钽电容器相比，MLK212BBJ476MG-T不涉及极性安装问题，简化装配工艺，且无短路失效模式，提升系统安全性。陶瓷介质结构不存在老化效应，容量随时间推移保持稳定，无需像电解电容那样考虑寿命衰减因素。
实际应用案例
在最新一代5G智能手机电源架构中，MSASL21GBB5476MTNA01被广泛应用于应用处理器核心电源轨。具体实施案例显示，某品牌旗舰手机在APU核心电源采用12个该型号电容器，布置在处理器四周，构成分布式退耦网络。实测数据表明，在处理器动态频率切换瞬间，电源电压跌落从原来的120mV改善至45mV，提升系统稳定性。
平板电脑主板设计中，该电容器用于显示接口的电源滤波。某10.5英寸平板产品在MIPI DSI接口电源路径使用4个MSASL21GBB5476MTNA01，有效抑制显示数据传输过程中的电源噪声，减少屏幕闪烁现象。EMI测试结果显示，在800MHz至2GHz频段的辐射发射降低4dB，顺利通过FCC Class B认证。
医疗穿戴设备领域，某心电图监测手环在模拟前端电源使用该电容器，配合低噪声LDO稳压器，实现高精度生物信号采集。实际测量数据表明，电源噪声基底从35μV RMS降低至12μV RMS，显著提升心电信号测量精度，满足医疗级设备的技术要求。
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