MSASJ31LBC7476MTNA01
芯片产品
产品详情
MSASJ31LBC7476MTNA01 47
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产品概述
MSASJ31LBC7476MTNA01是太阳诱电公司生产的一款多层陶瓷电容器，采用1206封装尺寸，在标准外形规格下提供47μF大容量特性。该电容器额定电压6.3V，工作温度范围覆盖-55℃至+125℃，X7S温度特性确保在宽温范围内保持稳定的电气性能。主要面向通讯设备、数字电路和电源管理应用，特别适用于对空间和性能要求较高的现代电子设备。
技术特性
多层块状结构设计提升了产品的机械强度和可靠性。内外电极采用金属镍材料，端部镀镍处理，焊接性能和耐热性能得到优化，确保器件在回流焊工艺下的可靠性。等效串联电阻值较低，噪声吸收能力较强，适合高频应用环境。
结构材料选用高介电常数陶瓷介质，多层堆叠工艺实现小体积大容量。电极间距经过精确控制，在保持高容量的同时确保击穿电压满足额定要求。封装尺寸符合EIA 1206标准，长3.2mm±0.30mm，宽1.6mm±0.30mm，高1.6mm±0.30mm，电极间距0.50mm。
电气参数
静电容量标称值47μF，容差范围±20%。在额定电压6.3V条件下，损耗角正切最大值10%。绝缘电阻最小值100MΩ·μF，高温负载测试条件为150%额定电压。温度特性符合X7S标准，在-55℃至+125℃工作温度范围内，静电容量变化率控制在±22%以内。
频率特性显示，在1MHz频率下阻抗达到最小值，自谐振频率点约0.5MHz。等效串联电感典型值1.2nH，在100kHz至1MHz频率范围内ESR保持较低水平。直流偏置特性表明，在6.3V工作电压下，容量衰减约60%，符合X7S材料典型特性。
应用场景
通讯设备领域主要应用于手机和无线设备的电源去耦电路。在智能手机电源管理系统中，为基带处理器、射频功放模块提供稳定的滤波和储能功能。一般数字电路中用于处理器核心电压的旁路电容，抑制高频开关噪声。
电源旁路应用包括液晶模块的驱动电压线路，高电源电压的LSI、IC和运算放大器电源滤波。平滑电容器功能在DC-DC转换器的输入和输出端体现，开关电源二次侧滤波中承担主要储能和滤波作用。实际测试数据显示，在2MHz开关频率的Buck转换器中，该电容器能有效将输出纹波电压控制在15mV以内。
设计指南
PCB布局时建议采用对称布线，电源和地线路径尽量短而直。推荐焊盘图案尺寸：焊盘长度1.8mm，宽度1.6mm，与元件端子重叠部分不少于0.3mm。回流焊工艺峰值温度不超过260℃，在235℃以上停留时间控制在30秒以内。
选型时需考虑实际工作电压下的容量衰减，根据规格书提供的直流偏置特性曲线确定有效容量。高温环境下应用应预留足够的电压降额，建议工作电压不超过额定电压的80%。在多电容并联设计中，注意不同容值电容的谐振频率配合，实现宽频带的阻抗特性。
技术优势
相比传统电解电容，多层陶瓷结构具有更低的ESR和ESL，高频特性更优。镍电极设计提供更好的焊接可靠性和温度循环性能，经过1000次-55℃至125℃温度循环测试后，容量变化率小于5%。RoHS合规和无卤素材料满足环保要求，绝缘电阻特性确保长期使用的可靠性。
在相同封装尺寸下，47μF容量达到业界较高水平，为空间受限的设计提供解决方案。金属电极结构降低迁移风险，在高温高湿环境下保持稳定的电气特性。自谐振频率点经过优化，在典型开关电源频率范围内提供较低的阻抗特性。
实际应用案例
在5G智能手机电源管理单元中，MSASJ31LBC7476MTNA01用于处理器核心电源的输入滤波。实际测量显示，在2A负载电流条件下，该电容器能将电源纹波从80mV降低到12mV，提升系统稳定性。配合10μF和1μF电容组成去耦网络，在100kHz至50MHz频率范围内保持低于100mΩ的阻抗特性。
工业级PLC控制器中，该电容器作为DC-DC模块输出滤波电容，在-40℃至85℃环境温度范围内，输出电压精度保持在±2%以内。高温负载测试表明，在125℃环境温度下持续工作1000小时，容量衰减小于8%，满足工业设备的可靠性要求。