MSASJ168BB5476MT2A01
芯片产品
产品详情
MSASJ168BB5476MT2A01 47
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产品概述
MSASJ168BB5476MT2A01是太阳诱电(TAIYO YUDEN)推出的一款0603封装尺寸的多层陶瓷电容器，属于高介电常数系列产品。该电容器在1.6mm×0.8mm×0.8mm的紧凑尺寸内实现47μF标称容量，额定电压6.3V，采用X5R温度特性材料，工作温度范围覆盖-55℃至+85℃。产品主要面向通讯设备、消费电子、工业控制等领域的电源管理应用，特别适用于空间受限的高密度电路设计。
技术特性
MSASJ168BB5476MT2A01采用多层块状结构设计，内部电极使用金属镍材料，端部电极同样采用镀镍工艺。这种结构设计确保了器件在回流焊工艺中的耐热性能和焊接可靠性。根据规格表数据，产品尺寸公差为长度1.6+0.20/-0.00mm，宽度0.8+0.20/-0.00mm，厚度0.8+0.20/-0.00mm，电极间距0.35±0.25mm。
材料方面，X5R温度特性确保在-55℃至+85℃工作温度范围内，静电容量变化率控制在±15%以内。损耗角正切值最大为20%，绝缘电阻最小值达到20MΩ·μF。产品符合RoHS 10项物质指令、REACH 251项物质要求，且为无卤素设计，满足现代电子产品环保标准。
电气参数
根据产品规格表，MSASJ168BB5476MT2A01的主要电气参数如下：
- 标称静电容量：47μF
- 容量公差：±20%
- 额定电压：6.3V DC
- 温度特性：X5R（EIA标准）
- 工作温度范围：-55℃至+85℃
- 损耗角正切：最大值20%（测试条件1kHz，1Vrms）
- 绝缘电阻：最小值20MΩ·μF（测试条件25℃，额定电压充电1分钟后测量）
- 高温负载寿命：100%额定电压，125℃环境下1000小时
频率特性数据显示，在1MHz频率下阻抗约为0.01Ω，ESR值随频率升高而降低。直流偏置特性表明，在额定电压6.3V时，容量变化率约为-80%。交流电压特性测试显示，在2.5Vrms交流电压下，容量变化率约为-60%。
应用场景
MSASJ168BB5476MT2A01适用于多种电子设备的电源管理电路。在通讯设备领域，包括智能手机、无线模块等设备的电源去耦和噪声滤波应用。液晶显示模块中，用于液晶驱动电压线路的平滑和稳定。数字电路中，为高电源电压的LSI、IC和运算放大器提供电源旁路功能。
电源转换系统中，该电容器可用于DC-DC转换器的输入和输出端平滑滤波，开关电源的二次侧滤波，以及各类电源管理IC的旁路电容。在便携式设备中，得益于0603的小尺寸封装，能够有效节省PCB空间，满足高密度布局需求。
设计指南
硬件设计时需要考虑电容器的直流偏置特性。根据特性图表，施加直流电压会导致容量下降，在额定电压6.3V时容量保持率约20%。设计时应确保工作电压下的有效容量满足系统需求。布局时建议将电容器尽可能靠近IC的电源引脚，缩短引线长度以降低寄生电感。
热管理方面，纹波电流特性数据显示，在100kHz频率下，允许的纹波电流约为3Arms，温升控制在10℃以内。高频应用时需注意ESL的影响，特性图表显示等效串联电感约为0.5nH，这会影响高频下的阻抗特性。焊接工艺推荐使用回流焊，包装形式为纸带包装，每卷4000个。
技术优势
相比传统电解电容，MSASJ168BB5476MT2A01在相同容积下提供更高的容量密度。多层陶瓷结构带来更低的ESR值，有助于提高电源效率。镍电极设计提供更好的焊接可靠性和耐热冲击性能。0603封装尺寸兼容标准SMT生产工艺，适合自动化组装。
温度特性方面，X5R材料在宽温度范围内保持相对稳定的容量特性，适合环境温度变化较大的应用场合。产品提供完整的仿真模型支持，包括SPICE模型、S参数和温度/直流偏置模型，便于系统级仿真和性能优化。
实际应用案例
在智能手机电源管理模块中，MSASJ168BB5476MT2A01常用于处理器核心电源的去耦网络。实际测试数据显示，在2GHz处理器应用中，该电容器能有效抑制电源纹波，将峰值噪声从150mV降低至30mV以内。配合其他容值电容器组成去耦网络，可覆盖从kHz到GHz的宽频带噪声抑制。
液晶电视的背光驱动电路中，该电容器用于LED驱动器的输出滤波。在24V驱动电压、1A输出电流条件下，电容器温升控制在15℃以内，确保长期工作可靠性。DC-DC转换器应用中，在输入电压5V、输出电压3.3V的降压转换器中，配合主滤波电容使用，能有效抑制开关频率及其谐波噪声。